MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 40V DHS021N04 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 40 V

1 Descripción Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad 

● herramientas eléctricas 

● SAI 

● Control de motores

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	2mΩ	180A