180A 40V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS021N04 TO-220C

180A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Keterangan Ini mod peningkatan saluran N-saluran MOSFET yang digunakan reka bentuk teknologi gerbang gerbang lanjutan, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 

2 ciri 

● Rendah terhadap rintangan 

● Caj pintu rendah rendah 

● Pertukaran cepat 

● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100% 

● Ujian 100% Δvds 

3 aplikasi 

● Pembetulan segerak dalam SMP

● Beralih keras dan litar berkelajuan tinggi 

● Alat kuasa 

● UPS 

● Kawalan motor