180A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS021N04 TO-220C

180A 40V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate tranch-tehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Madal takistus 

● Värava madal laeng 

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal pöördülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused 

● Sünkroonalaldus SMPS-is

● Tugev lülitus ja kiire vooluahel 

● Elektrilised tööriistad 

● UPS 

● Mootori juhtimine

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
40V	2 mΩ	180A