kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » Mosfet » 12V-300V N MOS » 180A 40V N-kanal Način poboljšanja Power Mosfet DHS021N04 TO-220C

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

180A 40V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet DHS021N04 TO-220C

180A 40V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet
Dostupnost:
Količina:

180A 40V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet


1 Opis Ovi N-kanalni način poboljšanja Mosfets Koristili su napredni dizajn tehnologije Trench Splite Gate, pružili izvrsni RDSON i niski naboj. Koji se slaže sa ROHS standardom. 


2 značajke 

● nizak otpor 

● Naboj s malim vratima 

● Brzo prebacivanje 

● Niski kapaciteti za obrnuto prijenose 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 


3 prijave 

● Sinhrono ispravljanje u SMPS -u

● Tvrdo prebacivanje i krug velike brzine 

● električni alati 

● UPS 

● Upravljanje motorom

VDSS RDS (ON) (TIP) Osobna iskaznica
40V 2mΩ 180a


Prethodno: 
Sljedeći: 
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu