180A 40V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C

180A 40V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate grøft-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Hurtigt skifte 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Synkron ensretning i SMPS

● Hard switching og højhastighedskredsløb 

● Elværktøj 

● UPS 

● Motorstyring

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
40V	2mΩ	180A