Tillgänglighet: | |
---|---|
Kvantitet: | |
20A 600V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa kisel N-kanal förbättrade VDMoSfets erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar
Ledningsförlust, förbättra växlingsprestanda och förbättra lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
2 funktioner
● Snabbbrytning
● Låg motstånd (RDSON≤0,45Ω)
● Låg grindavgift (typ: 61nc)
● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 20pf)
● 100% enkelpuls snöskredsenergitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytare för adapter och laddare.
Vds | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 0,36Ω | 20a |
20A 600V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa kisel N-kanal förbättrade VDMoSfets erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar
Ledningsförlust, förbättra växlingsprestanda och förbättra lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
2 funktioner
● Snabbbrytning
● Låg motstånd (RDSON≤0,45Ω)
● Låg grindavgift (typ: 61nc)
● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 20pf)
● 100% enkelpuls snöskredsenergitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.
● Strömbrytare för adapter och laddare.
Vds | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 0,36Ω | 20a |