20N60/F20N60/20N60D

20A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 deskripsi

VDMOSFET yang ditingkatkan N-channel Silikon ini, diperoleh dengan teknologi planar self-self-egois yang mengurangi

Kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS.

2 fitur

● Pergantian cepat

● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.45Ω)

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 61NC)

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 20PF)

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS

3 aplikasi

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.

● Sirkuit sakelar daya adaptor dan pengisi daya.