20A 600V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló sík technológiával nyerik, amely csökkenti a
vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,45Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 61nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 20pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 600V |
0,36Ω |
20A |