Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
20a 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket a Szilícium-N-csatornát továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a
Vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,45Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 61NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 20PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 0,36Ω | 20a |
20a 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket a Szilícium-N-csatornát továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a
Vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,45Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 61NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 20PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 0,36Ω | 20a |