ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 400-1500 В N MOS » 20N60/F20N60/20N60D

завантаження

Поділитися з:
кнопка спільного доступу до Facebook
кнопка спільного доступу до Twitter
кнопка спільного доступу до лінії
кнопка спільного доступу до wechat
кнопка спільного доступу в Linkedin
кнопка спільного доступу на pinterest
кнопка спільного доступу до WhatsApp
поділитися цією кнопкою спільного доступу

20N60/F20N60/20N60D

20A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Наявність:
Кількість:

20A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує

втрати провідності, покращують продуктивність перемикання та збільшують енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Низький опір (Rdson≤0,45Ω)

● Низький заряд затвора (тип: 61nC)

● Низька зворотна ємність передачі (тип: 20 пФ)

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.


VDSS RDS(увімкнено)(TYP) ID
600В 0,36 Ом 20А


Попередній: 
далі: 
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку