20N60/F20N60/20N60D

20A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto silikónové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje

straty vedenia, zlepšujú spínací výkon a zvyšujú lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor (Rdson≤0,45Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 61nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 20 pF)

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
600 V	0,36Ω	20A