20N60/F20N60/20N60D

20A 600V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, kendi kendine hizalanan düzlemsel teknolojiyle elde edilir ve bu teknoloji,

İletim kaybı, anahtarlama performansını artırır ve çığ enerjisini artırır. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç (Rdson≤0,45Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 61nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 20pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
600V	0,36Ω	20A