DHD10N65

10A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa kisel N-kanal förbättrade VDMoSfets erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar

Ledningsförlust, förbättra växlingsprestanda och förbättra lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.

2 funktioner

● Snabbbrytning

● ESD förbättrad förmåga

● Låg motstånd (RDSON≤1.0Ω)

● Låg grindavgift (typ: 32nc)

● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 7.0pf)

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer

● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.

● Strömbrytare för adapter och laddare.