pintu pagar
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V N MOS » DHD10N65

memuatkan

Kongsi kepada:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian talian
butang perkongsian wechat
butang perkongsian linkedin
butang perkongsian pinterest
butang perkongsian whatsapp
kongsi butang perkongsian ini

DHD10N65

10A 650V N-channel Enhancement Mode Kuasa MOSFET
Ketersediaan:
Kuantiti:

10A 650V N-saluran Mod Peningkatan Kuasa MOSFET

1 Penerangan

Vdmosfet silikon saluran N yang dipertingkatkan ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan

kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.

2 Ciri

● Penukaran pantas

● ESD meningkatkan keupayaan

● Rintangan rendah (Rdson≤1.0Ω)

● Caj pintu rendah (Jenis: 32nC)

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 7.0pF)

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal

● 100% ujian ΔVDS

3 Aplikasi

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.

● Litar suis kuasa penyesuai dan pengecas.


VDSS RDS(on)(TYP) ID
650V 0.86Ω 10A


Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • bersiap sedia untuk masa hadapan
    mendaftar untuk surat berita kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda