DHD10N65

10A 650 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET

1 kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud VDMOSFETS saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kaotus, parandage vahetamise jõudlust ja parandab laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.

2 funktsiooni

● Kiire vahetamine

● ESD täiustatud võimekus

● Madal takistus (RDSON≤1,0Ω)

● Madal väravalaeng (tüüp: 32nc)

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 7,0 pf)

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test

3 rakendust

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates.

● Adapteri ja laadija toitelüliti vooluring.