未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS » 100A 70V N MORNE MOCE MOSFET MOSFET DHS043N07P DFN5X6

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

100A 70 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS043N07P DFN5X6

Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

100A 70 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET


1 Opis Ten tryb wzmacniający kanał N MOSFETS Używany zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewniał doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Niskie opór

● Niski ładunek bramki 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS


3 aplikacje 

● Synchroniczna rektyfikacja w SMPS 

● Przełączanie twardych i obwód dużej prędkości 

● Elektrownie

● UPS 

● Kontrola silnika


VDSS RDS (ON) (Typ) ID
70 V. 4,0 mΩ 100a


pobierać Urządzenie DHS043N07P Specyfikacja. PDF

Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com