未命名 (1) (8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim » Produkte » Mosfet » 12V-300V n Mos » 100a 70V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6

Laden

Teilen an:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing -Schaltfläche
Leitungsfreigabe -Taste
Wechat Sharing -Taste
LinkedIn Sharing -Taste
Pinterest Sharing -Taste
WhatsApp Sharing -Taste
Sharethis Sharing Button

100A 70V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Korb geben

100A 70 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design, die hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung bildeten. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
70V 4,0 mΩ 100a


herunterladen Gerät DHS043N07P -Spezifikation.pdf

Vorherige: 
Nächste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen
    Einreichen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology von Leadong.com