100A 70V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS043N07P DFN5X6

100A 70V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกประตูแยกขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และเกตต่ำที่ยอดเยี่ยม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน 

● การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS 

● ฮาร์ดสวิตชิ่งและวงจรความเร็วสูง 

● เครื่องมือไฟฟ้า

● ยูพีเอส 

● การควบคุมมอเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
70V	4.0mΩ	100A