pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 70V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian garis
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

100A 70V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6

MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
Ketersediaan:
Kuantiti:

100A 70V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Keterangan Ini mod peningkatan saluran N-saluran MOSFET yang digunakan reka bentuk teknologi gerbang gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 


2 ciri 

● Rendah terhadap rintangan

● Caj pintu rendah rendah 

● Pertukaran cepat 

● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds


3 aplikasi 

● Pembetulan segerak dalam SMP 

● Beralih keras dan litar berkelajuan tinggi 

● Alat kuasa

● UPS 

● Kawalan motor


VDSS Rds (on) (typ) Id
70v 4.0mΩ 100a


Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda