värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 70V N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET DHS043N07P DFN5X6

laadimine

Jaga:
Facebooki jagamisnupp
twitteris jagamise nupp
rea jagamise nupp
wechati jagamisnupp
linkedini jagamisnupp
pinteresti jagamisnupp
whatsapi jagamisnupp
jaga seda jagamisnuppu

100A 70V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS043N07P DFN5X6

Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate kraavitehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile.
Saadavus:
Kogus:

100A 70V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET


1 Kirjeldus Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate tranch-tehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile. 


2 Omadused 

● Madal takistus

● Värava madal laeng 

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal pöördülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test


3 Rakendused 

● Sünkroonalaldus SMPS-is 

● Tugev lülitus ja kiire vooluahel 

● Elektrilised tööriistad

● UPS 

● Mootori juhtimine


VDSS RDS (sees) (TYP) ID
70V 4,0 mΩ 100A


Eelmine: 
Järgmine: 
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti