brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
200A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V. 200a Device DH020N03 (B39) Specyfikacja. PDF
130A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
 Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 Do-220f 200 V. 18a Device 640 Specyfikacja.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V. 68a DH140N10B i DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
120A 70 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V. 120a Donghai+DHS130N06B i DHS130N06D+Arkusz danych+v3.0 (1) .pdf
112A 68 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 To-220C 68v 112a DH100N06_DATASHEET_V3.0.PDF
 Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V. 4a 英文版 DH4N150B 技术规格书 .pdf
10,6A 650V N-kanał Super Junction MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T Do-220f 650 V. 10.6a Device DJF380N65T Specyfikacja Rev.1.0.pdf
16A 650V N-Kannel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650 V. 16a Donghai DHSJ21N65Z Arkusz danych V1.0 (1) .pdf
180A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA To-263 100 V. 180a Urządzenie+DSE026N10NA i DSG028N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
-140A -60V PRZEWADZANIE PRZEWODNIKA MOC MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA To-220C -60 V. -140a Urządzenie+DTG050P06LA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
54A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V. 54a Urządzenie DH060N03R Specyfikacja. PDF
7,6A 650V N-kanał Super Junction MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 Do-220f 650 V. 7.6a DHFSJ8N65_DATESHEET_V1.0.PDF
300A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET DSU021N10NA Pakiet opłat DSU021N10NA MYTO 100 V. 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Tryb wzmacniający kanał N 80A 80 V MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 To-220C 80v 80a Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
80A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 To-220C 68v 80a Urządzenie DH072N07 Specyfikacja.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V. 4a 英文版 D4N70 技术规格书 .pdf
18A 500 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 Do-220f 500 V. 18a 英文版 F18N50 技术规格书 .pdf
NPN Epitaksialny tranzystor krzemu 2SD882 do 126 2SD882 Do 126 40v 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
100A 40V NIC CANLEMENT MOC MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5x6 40v 100a Donghai DHS021N04P DataSheet v3.0.pdf

Wideo produktu



  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się do przyszłego
    zapisania się na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej