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MOSFET

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 81A 80V DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Dispositivo DH060N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 11 A 650 V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Dispositivo DHSJ11N65Specifiche(S).pdf
-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Dispositivo+DH170P04V+Specifica.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 68 V DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Specifiche del dispositivo DH3205A.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specifiche del dispositivo DHSJ13N65.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS045N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 120 A 85 V DHS045N85 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N85-Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 42 A 600 V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specifiche del dispositivo DJC070N60F.pdf
MOSFET di potenza F4N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS042N15E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 150 A 150 V DHS042N15E TO-263 150 V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 31 A 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
MOSFET di potenza F5N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 5 A 800 V F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 12 A 700 V DJF360N70
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET di potenza DHS110N15D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 85 A 150 V DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Specifiche del dispositivo DHS110N15D.pdf
MOSFET di potenza DH640 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 18 A 200 V DH640 TO-220C 200 V 18A Specifiche del dispositivo 640.pdf
DHS052N10PDFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Specifiche del dispositivo DHS052N10P.pdf

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