未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET



Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

MOSFET

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
50A 200V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Enhet F50N20 Specifikation(1).pdf
65A 100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
300A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSU021N10NA AVGIFTSPAKET DSU021N10NA VÄGTULL 100V 300A Enhet+DSU021N10NA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
120A100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET D120N10 TO-220C 100V 120A Enhet D120N10ZR Specifikation.pdf
60A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100V 59A Enhet DH0159B76 Specifikation(1).pdf
80A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Enhet DHS065N10P Specifikation(1).pdf
80A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Enhet DH80N08 B22 Specifikation.pdf
8A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
12A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
10,6A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Enhet DJF380N65T Specifikation Rev.1.0.pdf
P-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Enhet DH100P30AD Specification.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
16A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datablad V1.0(1).pdf
180A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datablad+Rev.1.0.pdf
180A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Enhet+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
10A 800V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datablad+Rev.1.0.pdf
-140A -60V P-kanals förbättringsläge Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Enhet+DTG050P06LA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 10A 600V 10N60 10N60

Produktvideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com