未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS DFN5X6 80A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N10P

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

80A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
 
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägga till i korgen

80A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Snabbbrytning

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Hög lavinström 

● Låg omvänd överföringskapacitanser

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Synkron rättelse i SMPS 

● Hård växling och höghastighetskrets

● Strömverktyg 

● UPS 

● Motorstyrning

Vds Rds (on) (typ) Id
100V 6.5mΩ 80a


Tidigare: 
Nästa: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com