brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » Mosfet



Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

MOSFET

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
200A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30v 200a Zařízení DH020N03 (B39) Specifikace.pdf
130a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18a Zařízení 640 Specifikace.pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100v 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
120a 70V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120a Donghai+DHS130N06B & DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1) .pdf
112a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68v 112a DH100N06_DATASHEET_V3.0.pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4a 英文版 DH4N150B 技术规格书 .pdf
10.6a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10.6a Zařízení DJF380N65T Specifikace Rev.1.0.pdf
16A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650V 16a Donghai dhsj21n65z Datasheet V1.0 (1) .pdf
180a 100v n-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100v 180a Zařízení+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
-140a -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140a Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
54a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30v 54a Zařízení DH060N03R Specifikace.pdf
7.6a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6a Dhfsj8n65_dateSheet_v1.0.pdf
300A 100V N-CANNEL REŽIMEM REŽIM MOSFET DSU021N10NA MOLL BACK DSU021N10NA Mýtné 100v 300a Zařízení+DSU021N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
80a 80V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80a Zařízení DH80N08 B22 Specifikace.pdf
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4a 英文版 D4n70 技术规格书 .pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18a 英文版 F18N50 技术规格书 .pdf
NPN Epitaxiální křemíkový tranzistor 2S882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
100A 40V N-CANNEL REŽIMEM POWER MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100a DONGHAI DHS021N04P Datasheet V3.0.pdf

Video produktu



  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty