4a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F4N60 TO-220F

4a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL (soubor Ref: E252906). 

2 funkce 

● Rychlé přepínání

● ESD vylepšená schopnost 

● Nízký odpor (RDSON <2,5Ω) 

● Nízká brána (Typ: 14,5NC) 

● nízký reverzní přenosový kapacita (typ: 4.0pf) 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikace 

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Přepínací obvod elektrického balastu a adaptéru.