4A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N60 TO-220F

4A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1説明

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 TO-220Fは、3つの端子すべてから外部ヒートシンクまでの2000V RMSの定格断熱電圧を提供します。 TO-220Fシリーズは、UL標準に準拠しています（ファイルREF：E252906）。 

2つの機能 

●高速スイッチング

●ESDは機能を改善しました 

●抵抗が少ない（RDSON以下2.5Ω） 

●低ゲートチャージ（型：14.5NC） 

●低い逆転送容量（typ：4.0pf） 

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト 

●100％ΔVDSテスト 

3つのアプリケーション 

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。