4A 600V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET F4N60 TO-220F

4A 600V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET

1 விளக்கம்

இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS தரநிலையுடன் ஒத்துப்போகிறது. TO-220F மூன்று டெர்மினல்களிலிருந்து வெளிப்புற ஹீட்ஸின்க் வரை 2000 வி ஆர்.எம்.எஸ் என மதிப்பிடப்பட்ட காப்பு மின்னழுத்தத்தை வழங்குகிறது. TO-220F தொடர் UL தரநிலைகளுக்கு இணங்குகிறது (கோப்பு குறிப்பு: E252906). 

2 அம்சங்கள் 

● வேகமாக மாறுதல்

ES ESD மேம்படுத்தப்பட்ட திறன் 

Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤2.5Ω) 

K குறைந்த கேட் கட்டணம் (TYP: 14.5nc) 

Rever குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (TYP: 4.0pf) 

● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை 

● 100% ΔVDS சோதனை 

3 பயன்பாடுகள் 

Min கணினி மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு சக்தி மாறுதல் சுற்றில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. 

Elect எலக்ட்ரான் நிலைப்படுத்தல் மற்றும் அடாப்டரின் பவர் சுவிட்ச் சர்க்யூட்.