hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jy is hier: Tuis » Produkte » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 4A 600V N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET F4N60 TO-220F

laai

Deel na:
Facebook-deelknoppie
Twitter-deelknoppie
lyn deel knoppie
wechat-deelknoppie
linkedin-deelknoppie
pinterest-deelknoppie
whatsapp deel knoppie
deel hierdie deelknoppie

4A 600V N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET F4N60 TO-220F

4A 600V N-kanaal Verbeteringsmodus Krag MOSFET
Beskikbaarheid:
Hoeveelheid:

4A 600V N-kanaal Verbeteringsmodus Krag MOSFET


1 Beskrywing

Hierdie N-kanaal verbeterde vdmosfets word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed energie verbeter. Wat ooreenstem met die RoHS-standaard. TO-220F verskaf isolasiespanning gegradeer teen 2000V RMS vanaf al drie terminale na eksterne heatsink. TO-220F-reeks voldoen aan UL-standaarde (Lêerverwysing:E252906). 


2 Kenmerke 

● Vinnige oorskakeling

● ESD verbeterde vermoë 

● Laag weerstand (Rdson≤2.5Ω) 

● Lae heklading (tipe: 14.5nC) 

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipe: 4.0pF) 

● 100% enkelpuls stortvloed energie toets 

● 100% ΔVDS-toets 


3 Toepassings 

● Word gebruik in verskeie kragskakelkringe vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid. 

● Kragskakelaarkring van elektronballas en adapter.


VDSS  RDS(aan) (TIP) ID 
600V 2.1Ω 4A



Vorige: 
Volgende: 
  • Teken in vir ons nuusbrief
  • maak gereed vir die toekoms
    teken aan vir ons nuusbrief om opdaterings direk in jou inkassie te kry