brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 4a 600V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F4N60 TO-220F

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

4a 600V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F4N60 TO-220F

4a 600V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

4A 600V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS. Spoločnosť TO-220F poskytuje izolačné napätie hodnotené pri 2000 V RMS od všetkých troch terminálov po vonkajší chladič. Séria TO-220F dodržiava štandardy UL (File Ref: E252906). 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (rdson <2,5Ω) 

● Nízky náboj brány (typ: 14.5nc) 

● Nízke kapacity prenosu reverzného prenosu (typ: 4,0pf) 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod napájacieho spínača elektrónového predradníka a adaptéra.


VDSS  RDS (ON) (TYP) Id 
600 V 2,1Ω 4a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty