brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
-10A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Zariadenie+DH170P04V+Špecifikácia.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
81A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Zariadenie DH060N08 Špecifikácia.pdf
11A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Zariadenie DHSJ11N65Špecifikácia(S).pdf
120A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N85-Rev.2.0.pdf
42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Špecifikácia zariadenia DJC070N60F.pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
13A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Špecifikácia zariadenia DHSJ13N65.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N98-Rev.1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána bipolárny tranzistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
31A 600V N-kanálový napájací MOSFET Super Junction DJC099N60F/DJF099N60F
4A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
150A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150 V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
12A 700V N-kanálový napájací MOSFET Super Junction DJF360N70
85A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150 V 85A Špecifikácia zariadenia DHS110N15D.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
5A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+DataSheet+V2.0.pdf
18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200 V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf

Video o produkte



  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty