未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » » 85a 150V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS110N15D TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

85a 150V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHS110N15D TO-252B

85a 150V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

85a 150V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET

1 Popis 

Tyto režim vylepšení n-kanálu Power MOSFETS. Použitý technologický design pro pokročilé příkopy poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● proud s vysokou lavinou 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace

● Aplikace pro přepínání napájení

● Řízení a pohon motoru

● Správa baterií 

● UPS (nepřetržité napájecí zdroje)


VCE RDS (on) (typ) Id
150V 13mΩ 85a


Předchozí: 
Další: 
85a 150V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com