MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 85A y 150 V
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N. utilizó un diseño avanzado de tecnología de proceso de zanjas, proporcionó un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Alta corriente de avalancha
● Cambio rápido
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Control y accionamiento del motor.
● Gestión de la batería
● UPS (fuentes de alimentación ininterrumpida)
| Vces |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 150V |
13mΩ |
85A |