85 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS110N15D TO-252B

85 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus. Das fortschrittliche Design der Trench-Prozesstechnologie sorgte für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

Vces	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
150V	13mΩ	85A