85A 150V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS110N15D TO-252B

85A 150 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-LeistungsmOSFETs. Das Gebrauch von Advanced Graben Process Technology Design bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate -Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)