N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B

N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 7A 700V

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤1,75Ω)

● Låg grindladdning (typ: 26nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 4,5pF) 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
700V	1,35Ω	7A