hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » MOSFET » 400V-1500V N-MOS » N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B

N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 7A 700V
Beschikbaarheid:
Aantal:

N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 7A 700V


1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 


2 Kenmerken

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤1.75Ω)

● Lage poortlading (Typ: 26nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (typ: 4,5 pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 


3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.


VDSS  RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart 
700V 1,35 Ω 7A



Vorig: 
Volgende: 
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen