Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 120A 30V

Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 120A 30V

1 Descrizione

Questi MOSFET di potenza in modalità di miglioramento del canale N utilizzavano la progettazione avanzata della tecnologia della trincea, fornivano eccellenti RDON e bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

● Resistenza bassa 

● Carica a basso gate 

● commutazione rapida 

● Capacità di trasferimento inverse basse

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS 

3 applicazioni 

● Applicazioni di commutazione di alimentazione

● Sistema di gestione degli inverter 

● Strumenti elettrici 

● Elettronica automobilistica