โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel เพาเวอร์ MOSFET 120A 30V

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel เพาเวอร์ MOSFET 120A 30V

1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน

● ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์ 

● เครื่องมือไฟฟ้า 

● อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
30V	3.0mΩ	120A