N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V

N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forstærkningstilstande power-mosfets brugte avanceret trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Hurtigt skifte 

● Lave omvendte overførselskapacitanser

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Strømskifteapplikationer

● Inverter management system 

● Elektrisk værktøj 

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
30V	3,0 mΩ	120A