N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 120A 30V

N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 120A 30V

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud kaevikutehnoloogiat, pakkusid suurepärast Rdsoni ja madalat väravalaengut. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Madal takistus 

● Värava madal laeng 

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal pöördülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused 

● Toitelülitusrakendused

● Inverteri juhtimissüsteem 

● Elektrilised tööriistad 

● Autoelektroonika

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
30V	3,0 mΩ	120A