värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS » n-kanali täiustamise režiimi Power Mosfet 120a 30V

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 30V

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 30 V
Kättesaadavus:
kogus:
  • DH030N03B41/DH030N03FB41/DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41

  • Wxdh

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 30V


1 kirjeldus


Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni 

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Kiire vahetamine 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused

● Inverteri haldussüsteem 

● Elektrilised tööriistad 

● Autotööstuse elektroonika


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
30 V 3,0mΩ 120A


Eelmine: 
Järgmine: 
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti