brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » IGBT » 600 V-650 V » 20A 650V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGE20F65M2 TO-263

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

20A 650V Tranzystor bipolarny z izolowaną bgodne ze standardem RoHS.

Wykorzystując zastrzeżoną konstrukcję Trench firmy DongHai i zaawansowaną technologię FS, 650 V FS IGBT oferuje doskonałą wydajność przełączania, wysoką odporność lawinową i łatwą pracę równoległą.
Dostępność:
Ilość:

Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 20 A, 650 V


1 Funkcje 

Wykorzystując zastrzeżoną konstrukcję Trench firmy DongHai i zaawansowaną technologię FS, 650 V FS IGBT oferuje doskonałą wydajność przełączania, wysoką odporność lawinową i łatwą pracę równoległą


2 funkcje

 ● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperaturowy

 ● Niskie napięcie nasycenia: VCE(sat), typ = 1,8 V @ IC =20A i Tj =25°C

 ● Niezwykle zwiększone możliwości lawinowe 


3 aplikacje 

● Spawanie 

● UPS 

● Falownik trójpoziomowy


VCE Vcesat, Tj = 25 ℃ Ic Tjmaks Pakiet
650 V 1,8 V 20A  175 ℃ TO-263-3L


Poprzedni: 
Następny: 
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą