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20A 650V Puerta de zanja de trincheras Transistor bipolar DGE20F65M2 a 263

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20A 650V Puerta de zanja de trincheras Transistor bipolar DGE20F65M2 a 263

Utilizando el diseño patentado de la zanja de Donghai y la tecnología FS avanzada de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones de conmutación superiores, alta resistencia de avalancha y fácil

disponibilidad de operación paralela:

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Modelo:
DGE20F65M2
Marca:
Wxdh
Paquete:
A 263
Ficha de datos:
DGE20F65M2_DataSheet.pdf
V:
650V
A:
20A

Descripción del Producto

20A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar

1 características

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Dongghai y la tecnología FS avanzada de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones de conmutación superiores, ruggedness de alta avalancha y operación paralela fácil

2 características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 20A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

● Soldadura

● UPS

● Inverter de tres niveles

VCE	Vcesat, TJ = 25 ℃	Beer	Tjmax	Paquete
650V	1.8V	20A	175 ℃	To-263-3l

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