Transistor bipolar DGE20F65M2 TO-263 de puerta aislada Trenchstop de 20A 650V

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 20A 650V

1 Características 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimientos de conmutación superiores, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo.

2 características

 ● FS Trench Technology, coeficiente de temperatura positivo

 ● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,8 V @ IC = 20 A y Tj = 25 °C

 ● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones 

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles

VCE	Vcesat,Tj=25℃	ic	Tjmax	Paquete
650V	1,8 V	20A	175℃	TO-263-3L