未命名(1)(8) (1)
שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
אתה נמצא כאן: בַּיִת » מוצרים » IGBT » 600V-650V » טרנזיסטור דו קוטבי 20A 650V Trenchstop שער מבודד DGE20F65M2 TO-263

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף בפייסבוק
כפתור שיתוף בטוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף wechat
כפתור שיתוף linkedin
כפתור שיתוף pinterest
כפתור שיתוף בוואטסאפ
שתף את כפתור השיתוף הזה

20A 650V Trenchstop שער מבודד טרנזיסטור דו קוטבי DGE20F65M2 TO-263

באמצעות עיצוב Trench הקנייני של DongHai וטכנולוגיית FS מתקדמת, ה-650V FS IGBT מציע ביצועי מיתוג מעולים, קשיחות גבוהה של מפולת והפעלה מקבילה קלה.
זמינות:
כמות:
לִשְׁאוֹל הוסף לסל

  • DGE20F65M2

  • WXDH

  • TO-263

  • DGE20F65M2_datasheet.pdf

  • 650V

  • 20A

טרנזיסטור דו-קוטבי מבודד שער 20A 650V Trenchstop


1 תכונות 

באמצעות עיצוב Trench הקנייני של DongHai וטכנולוגיית FS מתקדמת, ה-650V FS IGBT מציע ביצועי מיתוג מעולים, קשיחות גבוהה של מפולת והפעלה מקבילה קלה.


2 תכונות

 ● טכנולוגיית FS Trench, מקדם טמפרטורה חיובי

 ● מתח רוויה נמוך: VCE(sat), סוג = 1.8V @ IC =20A ו- Tj =25°C

 ● יכולת מפולת משופרת במיוחד 


3 יישומים 

● ריתוך 

● UPS 

● מהפך תלת מפלסי


VCE Vcesat,Tj=25℃ Ic Tjmax חֲבִילָה
650V 1.8V 20A  175℃ TO-263-3L


קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
IGBT DIODE
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • התכונן לעתיד
    הירשם לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישירות לתיבת הדואר הנכנס שלך
    לְהַגִישׁ
זכויות יוצרים © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd טכנולוגיה מאת leadong.com