Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 20A 650V DGE20F65M2 TO-263

Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 20A 650V

1 Caractéristiques 

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée aux avalanches et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

 ● Technologie FS Trench, coefficient de température positif

 ● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,8V @ IC =20A et Tj =25°C

 ● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée 

3 candidatures 

● Soudage 

● UPS 

● Onduleur à trois niveaux

VCE	Vcesat,Tj=25℃	IC	Tjmax	Emballer
650V	1,8 V	20A	175 ℃	TO-263-3L