未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Moduł IGBT » Pim mm 100A 1200V Half Bridge IGBT moduł DGA100H120M2T 34

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

100A 1200V Pół mostu IGBT DGA100H120M2T 34 mm

Te izolowana bipolarna tranzystor zastosowała zaawansowany projekt technologii wykopu i fieldstop, zapewniły doskonałą prędkość VCESAT i przełączanie, niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
 
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

  • DGA100H120M2T

  • Wxdh

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200 V.

  • 100a

100A 1200V Half Bridge Moduł


1 Opis 

Te izolowana bipolarna tranzystor zastosowała zaawansowany projekt technologii wykopu i fieldstop, zapewniły doskonałą prędkość VCESAT i przełączanie, niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

  ● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperatury 

  ● Niskie napięcie nasycenia: VCE (SAT), Typ = 1,9 V @ IC = 100A i TJ = 25 ° C 

  ● Niezwykle ulepszone możliwości lawinowe 


3 aplikacje 

  • Spawalniczy 

  • Ups 

  • Trzy-lewa falownik 

  • Wzmacniacz napędu Servo i DC




    Typ Vce Ic VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Pakiet
    DGA100H120M2T 1200 V. 100a (tj = 100 ℃) 1,9 V (typ) 175 ℃ 34 mm
Poprzedni: 
Następny: 
100A 1200V Half Bridge IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com