100A 1200V Pół mostu IGBT DGA100H120M2T 34 mm

100A 1200V Half Bridge Moduł

1 Opis 

Te izolowana bipolarna tranzystor zastosowała zaawansowany projekt technologii wykopu i fieldstop, zapewniły doskonałą prędkość VCESAT i przełączanie, niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 

2 funkcje 

  ● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperatury 

  ● Niskie napięcie nasycenia: VCE (SAT), Typ = 1,9 V @ IC = 100A i TJ = 25 ° C 

  ● Niezwykle ulepszone możliwości lawinowe 

3 aplikacje 

• Spawalniczy 

• Ups 

• Trzy-lewa falownik 

• Wzmacniacz napędu Servo i DC

  
  

  
  

  
  

  Typ	Vce	Ic	VCESAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Pakiet
  DGA100H120M2T	1200 V.	100a (tj = 100 ℃)	1,9 V (typ)	175 ℃	34 mm