未命名 (1) (8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U is hier: Tuiste » Produkte » IGBT -module » Pim » 100A 1200V Half Bridge IGBT -module DGA100H120M2T 34mm

laai

Deel aan:
Facebook -deelknoppie
Twitter -delingknoppie
Lyndeling -knoppie
WeChat Sharing -knoppie
LinkedIn Sharing -knoppie
Pinterest Sharing -knoppie
whatsapp -delingknoppie
Sharethis Sharing -knoppie

100A 1200V halfbrug IGBT -module DGA100H120M2T 34mm

Hierdie geïsoleerde bipolêre transistor van die hek het gevorderde ontwerp van die sloot- en veldstoptegnologie gebruik, het uitstekende VCesat- en skakelsnelheid, lae heklading verskaf. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard.
 
Beskikbaarheid:
Hoeveelheid:
Navraag doen Voeg by die mandjie

  • DGA100H120M2T

  • Wxdh

  • 34mm

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200V

  • 100a

100A 1200V halfbrugmodule


1 Beskrywing 

Hierdie geïsoleerde bipolêre transistor van die hek het gevorderde ontwerp van die sloot- en veldstoptegnologie gebruik, het uitstekende VCesat- en skakelsnelheid, lae heklading verskaf. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard. 


2 funksies 

  ● FS sloottegnologie, positiewe temperatuurkoëffisiënt 

  ● Lae versadigingsspanning: VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 100A en TJ = 25 ° C 

  ● Uiters verbeterde lawine -vermoë 


3 Aansoeke 

  • Sweiswerk 

  • UPS 

  • Drie-level-omskakelaar 

  • AC- en DC -servo -dryfversterker




    Tik VCE IC Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Pakkie
    DGA100H120M2T 1200V 100a (tj = 100 ℃) 1.9V (tik) 175 ℃ 34mm
Vorige: 
Volgende: 
100A 1200V halfbrug IGBT -module
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Teken in vir ons nuusbrief
  • Maak gereed vir die toekomstige
    aanmelding vir ons nuusbrief om opdaterings direk na u inkassie te kry
    Onderwerp
Kopiereg © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com