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Módulo IGBT de Half Bridge de 1200V 1200V DGA100H120M2T 34 mm

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
 
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  • DGA100H120M2T

  • Wxdh

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200V

  • 100A

Módulo de medio puente de 100a 1200V


1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

  ● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

  ● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 100A y TJ = 25 ° C 

  ● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

  • Soldadura 

  • Unión Postal Universal 

  • Inversor de tres pueblos 

  • Amplificador de accionamiento de Servo AC y DC




    Tipo VCE Beer Vcesat, TJ = 25 ℃ TJOP Paquete
    DGA100H120M2T 1200V 100A (TJ = 100 ℃) 1.9V (typ) 175 ℃ 34 mm
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