100A 1200V โมดูล IGBT ครึ่งสะพาน DGA100H120M2T 34 มม.

โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ 100A 1200V

1 คำอธิบาย 

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์เกทหุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกและ Fieldstop ขั้นสูง ให้ VCEsat และความเร็วในการเปลี่ยนที่ยอดเยี่ยม และมีประจุเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

  ● เทคโนโลยี FS Trench ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่เป็นบวก 

  ● แรงดันไฟอิ่มตัวต่ำ: VCE(sat), ประเภท = 1.9V @ IC =100A และ Tj = 25°C 

  ● ความสามารถในการถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก 

3 การใช้งาน 

• การเชื่อม 

• ยูพีเอส 

• อินเวอร์เตอร์สามระดับ 

• แอมพลิฟายเออร์ไดรฟ์เซอร์โว AC และ DC

  
  

  
  

  
  

  พิมพ์	วีซีอี	ไอซี	VCEsat,Tj=25℃	ทีจ็อป	บรรจุุภัณฑ์
  DGA100H120M2T	1200V	100A (เจ = 100 ℃)	1.9V (ประเภท)	175 ℃	34มม