100A 1200V Half Bridge IGBT โมดูล DGA100H120M2T 34 มม.

100A 1200V Half Bridge โมดูล

1 คำอธิบาย 

ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทที่หุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีขั้นสูงและการออกแบบเทคโนโลยีฟิลด์สต็อปให้ VCESAT ที่ยอดเยี่ยมและความเร็วในการสลับ, ชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ 

  ●เทคโนโลยีสนามเพลาะ FS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก 

  ●แรงดันความอิ่มตัวต่ำ: VCE (SAT), typ = 1.9V @ IC = 100A และ TJ = 25 ° C 

  ●ความสามารถในการหิมะถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก 

3 แอปพลิเคชัน 

• การเชื่อม 

• อัพ 

• อินเวอร์เตอร์สาม Leve 

• เครื่องขยายเสียง AC และ DC Servo Drive

  
  

  
  

  
  

  พิมพ์	VCE	ไอซี	vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	บรรจุุภัณฑ์
  DGA100H120M2T	1200V	100A (TJ = 100 ℃)	1.9V (TYP)	175 ℃	34 มม.