geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT modülü » Pim » 100a 1200V Yarım Köprü IGBT Modülü DGA100H120M2T 34mm

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

100A 1200V Yarım Köprü IGBT Modülü DGA100H120M2T 34mm

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
 
Kullanılabilirlik:
Miktar:
  • DGA100H120M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200V

  • 100a

100A 1200V Yarım Köprü Modülü


1 Açıklama 

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

  ● FS hendek teknolojisi, pozitif sıcaklık katsayısı 

  ● Düşük doygunluk voltajı: VCE (SAT), tip = 1.9V @ IC = 100a ve TJ = 25 ° C 

  ● Son derece gelişmiş çığ yeteneği 


3 Uygulama 

  • Kaynak 

  • GÜÇ KAYNAĞI 

  • Üç-ciltli 

  • AC ve DC Servo Drive Amplifikatörü




    Tip VCE İc VCCEAT, TJ = 25 ℃ Tjop Paketi
    DGA100H120M2T 1200V 100a (tj = 100 ℃) 1.9V (tip) 175 ℃ 34 mm
Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun