שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
אתה נמצא כאן: בַּיִת » מוצרים » מודול IGBT » PIM » 100A 1200V חצי גשר IGBT מודול DGA100H120M2T 34 מ'מ

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף בפייסבוק
כפתור שיתוף בטוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף wechat
כפתור שיתוף linkedin
כפתור שיתוף pinterest
כפתור שיתוף בוואטסאפ
שתף את כפתור השיתוף הזה

100A 1200V חצי גשר IGBT מודול DGA100H120M2T 34 מ'מ

טרנזיסטור דו-קוטבי של שער מבודד זה השתמש בתכנון מתקדם של תעלה ו-Fieldstop, סיפק VCEsat מעולה ומהירות מיתוג, טעינת שער נמוכה. מה שמתאים לתקן RoHS.
 
זְמִינוּת:
כַּמוּת:
  • DGA100H120M2T

  • WXDH

  • 34 מ'מ

  • DGA100H120M2T.pdf

  • 1200V

  • 100A

100A 1200V מודול חצי גשר


1 תיאור 

טרנזיסטור דו-קוטבי של שער מבודד זה השתמש בתכנון מתקדם של תעלה ו-Fieldstop, סיפק VCEsat מעולה ומהירות מיתוג, טעינת שער נמוכה. מה שמתאים לתקן RoHS. 


2 תכונות 

  ● טכנולוגיית FS Trench, מקדם טמפרטורה חיובי 

  ● מתח רוויה נמוך: VCE(sat), סוג = 1.9V @ IC =100A ו- Tj = 25°C 

  ● יכולת מפולת משופרת במיוחד 


3 יישומים 

  • הַלחָמָה 

  • UPS 

  • מהפך תלת מפלסים 

  • מגבר כונן סרוו AC ו-DC




    סוּג VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ צ'ופ חֲבִילָה
    DGA100H120M2T 1200V 100A (Tj=100℃) 1.9V (סוג) 175℃ 34 מ'מ
קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • התכונן לעתיד
    הירשם לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישירות לתיבת הדואר הנכנס שלך