未命名 (1) (8) (1)
שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., בע'מ
אתה כאן: בַּיִת » מוצרים » מודול IGBT » פים » 100a 1200V חצי גשר IGBT מודול DGA100H120M2T 34 מ'מ

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף פייסבוק
כפתור שיתוף טוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף WeChat
כפתור שיתוף לינקדאין
כפתור שיתוף Pinterest
כפתור שיתוף WhatsApp
כפתור השיתוף של שיתוף

100A 1200V חצי גשר מודול IGBT DGA100H120M2T 34 מ'מ

טרנזיסטור דו -קוטבי מבודד זה השתמשו בתכנון טכנולוגי טרנץ 'ותעלות מתקדמות, סיפקו VCESAT מעולים ומהירות מיתוג, מטען שער נמוך. אשר תואם את תקן ה- ROHS.
 
זְמִינוּת:
כַּמוּת:
לִשְׁאוֹל הוסף לסל

  • DGA100H120M2T

  • WXDH

  • 34 מ'מ

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200 וולט

  • 100 א

100a 1200 וולט מודול גשר


תיאור אחד 

טרנזיסטור דו -קוטבי מבודד זה השתמשו בתכנון טכנולוגי טרנץ 'ותעלות מתקדמות, סיפקו VCESAT מעולים ומהירות מיתוג, מטען שער נמוך. אשר תואם את תקן ה- ROHS. 


2 תכונות 

  ● טכנולוגיית טרנץ 'FS, מקדם טמפרטורה חיובי 

  ● מתח רוויה נמוך: VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 100A ו- TJ = 25 ° C 

  ● יכולת מפולת משופרת במיוחד 


3 יישומים 

  • הַלחָמָה 

  • UPS 

  • מהפך בן שלוש ללב 

  • מגבר כונן סרוו AC ו- DC




    סוּג VCE IC VCESAT, TJ = 25 ℃ TJOP חֲבִילָה
    DGA100H120M2T 1200 וולט 100a (TJ = 100 ℃) 1.9 וולט (סוג) 175 ℃ 34 מ'מ
קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
100A 1200V מודול IGBT Half Bridge
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., בע'מ
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • תתכונן
    להירשם לעתיד לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישר לתיבת הדואר הנכנס שלך
    לְהַגִישׁ
זכויות יוצרים © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology מאת readong.com