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Modulo IGBT da 100A 1200v Half Bridge DGA100H120MT 34mm

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
 
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  • DGA100H120MT

  • Wxdh

  • 34 mm

  • DGA100H120M2T.PDF

  • 1200v

  • 100a

Modulo a mezzo bridge da 100A 1200V


1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 


2 caratteristiche 

  ● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

  ● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1.9V @ IC = 100A e TJ = 25 ° C 

  ● Capacità di valanga estremamente migliorata 


3 applicazioni 

  • Saldatura 

  • UPS 

  • Inverter a tre leve 

  • Amplificatore AC e DC Servo Drive




    Tipo Vce Circuito integrato VceSat, TJ = 25 ℃ Tjop Pacchetto
    DGA100H120MT 1200v 100A (TJ = 100 ℃) 1.9V (tipo) 175 ℃ 34 mm
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